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 Weitere News: 60V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor erfüllt Design-Anforderungen hinsichtlich geringer Leitungs- und Schaltverluste
Veröffentlicht am Montag, dem 16. Mai 2011 @ 14:11:40 auf Freie-PresseMitteilungen.de
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Bauteil ermöglicht kleinere Stromversorgungen, eine höhere Leistungsdichte und größere Design-Effizienz
Fürstenfeldbruck - 16. Mai 2011 - Die Entwickler von DC-DC-Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Hot-Swap- und Lastschaltanwendungen, aber auch von sekundärseitigen synchronen Gleichrichtern für Server benötigen MOSFETs mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten um den Wirkungsgrad ihrer Designs zu erhöhen.
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Produkten für Leistungselektronik und mobile Produkte, hat mit dem N-Kanal PowerTrench® MOSFET FDMS86500L eine Lösung für diese Herausforderung entwickelt. Das Bauteil wurde speziell im Hinblick auf minimale Leitungsverluste und geringes Überschwingen optimiert, sowie um den Gesamtwirkungsgrad von DC-DC-Wandlern zu verbessern.
Durch eine Kombination fortschrittlicher Gehäuse- und Halbleitertechnologien erreicht der FDMS86500L einen deutlich niedrigeren RDS(ON) (2,5 m? @ VGS = 10V, ID=25A), was geringere Leitungsverluste in einem Industriestandard 5 mm x 6 mm Power 56 Gehäuse ermöglicht.
Zusätzlich zeichnet sich der auf der Shielded-Gate MOSFET-Technologie basierende FDMS86500L durch sehr geringe Schaltverluste (Qgd 14,6 nC typ.) aus. In Kombination mit den niedrigen Leitungsverlusten des Bauteils ergibt sich die von den Entwicklern benötigte verbesserte Leistungsdichte.
Der FDMS86500L erreicht einen sehr guten Gütefaktor (Figure of Merit) (RDS(ON) * QG), was einen hohen Wirkungsgrad und eine geringere Verlustleistung ermöglicht, so dass die einschlägigen Effizienzstandards und Regelungen erfüllt werden können.
Zu den weiteren wichtigen Merkmalen des FDMS86500L gehören eine verbesserte Body-Dioden-Technologie der nächsten Generation für ein sanfte Abschaltcharakteristik sowie ein robustes MSL1-Gehäuse-Design, das zu 100 Prozent UIL getestet und RoHS konform ist.
Der FDMS86500L ist das erste Bauteil eines umfassenden Portfolios von neuen 60V MOSFETs von Fairchild. Diese neuen 60V- Bauteile erweitern das MOSFET-Portfolio des Unternehmens im Mittelspannungsbereich. Durch das umfassende MOSFET-Portfolio von Fairchild können die Entwickler unter mehreren Technologien den jeweils idealen MOSFET für ihre Anwendung auswählen. Auf der Basis umfassender Kenntnisse und langjähriger Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.
Fairchild Semiconductor: The Right Technology for Your SuccessTM
Preis: US $0,90 ab 1.000 Stück
Verfügbarkeit: Muster sind ab sofort verfügbar
Lieferzeit: 8-10 Wochen
Kontakt:
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Anmerkungen für die Redaktion:
Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86500L.pdf
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.
Folgen Sie uns auf Twitter unter: http://twitter.com/fairchildSemi
Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unser Blog finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections
Besuchen Sie uns auf Facebook: http://www.facebook.com/FairchildSemiconductor
Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13
http://www.fairchildsemi.com/
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Iris Reitmeier
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild.eu@lucyturpin.com
089-417761-18
http://www.lucyturpin.com
(Interessante Podcast News, Infos & Tipps @ Open-Podcast.de.)
Bauteil ermöglicht kleinere Stromversorgungen, eine höhere Leistungsdichte und größere Design-Effizienz
Fürstenfeldbruck - 16. Mai 2011 - Die Entwickler von DC-DC-Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Hot-Swap- und Lastschaltanwendungen, aber auch von sekundärseitigen synchronen Gleichrichtern für Server benötigen MOSFETs mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten um den Wirkungsgrad ihrer Designs zu erhöhen.
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Produkten für Leistungselektronik und mobile Produkte, hat mit dem N-Kanal PowerTrench® MOSFET FDMS86500L eine Lösung für diese Herausforderung entwickelt. Das Bauteil wurde speziell im Hinblick auf minimale Leitungsverluste und geringes Überschwingen optimiert, sowie um den Gesamtwirkungsgrad von DC-DC-Wandlern zu verbessern.
Durch eine Kombination fortschrittlicher Gehäuse- und Halbleitertechnologien erreicht der FDMS86500L einen deutlich niedrigeren RDS(ON) (2,5 m? @ VGS = 10V, ID=25A), was geringere Leitungsverluste in einem Industriestandard 5 mm x 6 mm Power 56 Gehäuse ermöglicht.
Zusätzlich zeichnet sich der auf der Shielded-Gate MOSFET-Technologie basierende FDMS86500L durch sehr geringe Schaltverluste (Qgd 14,6 nC typ.) aus. In Kombination mit den niedrigen Leitungsverlusten des Bauteils ergibt sich die von den Entwicklern benötigte verbesserte Leistungsdichte.
Der FDMS86500L erreicht einen sehr guten Gütefaktor (Figure of Merit) (RDS(ON) * QG), was einen hohen Wirkungsgrad und eine geringere Verlustleistung ermöglicht, so dass die einschlägigen Effizienzstandards und Regelungen erfüllt werden können.
Zu den weiteren wichtigen Merkmalen des FDMS86500L gehören eine verbesserte Body-Dioden-Technologie der nächsten Generation für ein sanfte Abschaltcharakteristik sowie ein robustes MSL1-Gehäuse-Design, das zu 100 Prozent UIL getestet und RoHS konform ist.
Der FDMS86500L ist das erste Bauteil eines umfassenden Portfolios von neuen 60V MOSFETs von Fairchild. Diese neuen 60V- Bauteile erweitern das MOSFET-Portfolio des Unternehmens im Mittelspannungsbereich. Durch das umfassende MOSFET-Portfolio von Fairchild können die Entwickler unter mehreren Technologien den jeweils idealen MOSFET für ihre Anwendung auswählen. Auf der Basis umfassender Kenntnisse und langjähriger Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.
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